Ingénieur de Recherche (H/F) Conception et Fabrication de composants optoélectroniques ultrarap[...] > Joboolo FR :

Portail > Offres > Offre UMR852

- EMIPEY-009

- Ingénieur de Recherche (H/F) Conception et Fabrication de composants optoélectroniques ultrarapides à pompage optique parallélisé

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :






Date Limite Candidature :


jeudi 12 juin 2025 00:


00:


00 heure de Paris

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler

Intitulé de l'offre :


Ingénieur de Recherche (H/F) Conception et Fabrication de composants optoélectroniques ultrarapides à pompage optique parallélisé

Référence :


UMR852

- EMIPEY-009

Nombre de Postes :


1

Lieu de travail :


VILLENEUVE D ASCQ

Date de publication :


jeudi 13 mars 2025

Type de contrat :


IT en contrat CDD

Durée du contrat :


12 mois

Date d'embauche prévue :


2 juin 2025

Quotité de travail :


Complet

Rémunération :


2875,89€ brut

Niveau d'études souhaité :


BAC+5

Expérience souhaitée :


1 à 4 années

BAP :


A

- Sciences du vivant, de la terre et de l'environnement

Emploi type :


Ingénieur-e biologiste en analyse de données

Dans le cadre d’un projet financé par la région Hauts de France, l’IEMN vise à développer des photodétecteurs ultrarapides à haut courant de saturation de nouvelle génération, à pompage optique parallélisé, optimisés pour fonctionner avec des lasers de longueur d’ondes 1060nm ou 1550nm.


Les enjeux de ce projet sont importants puisque ces composants ont aujourd’hui de nombreuses applications potentielles :


télécommunications optiques, futurs systèmes de télécommunications sans fils en bande submillimétrique, ou encore spectroscopie ultra large bande allant des fréquences millimétriques au moyen infrarouge.

L’Ingénieur sera chargé de la conception, fabrication et caractérisation électro-optique des photodétecteurs.


Pour ce faire, il devra :

1. Concevoir les structures semiconductrices à l’aide du logiciel de conception de composants à semiconducteur (SILVACO)


2. Faire la DAO des masques de lithographie


3. Réaliser les étapes en environnement salle blanche (enduction résines, lithographie électronique/optique, métallisation, dépôts par PVD, gravure plasma)


4. Caractériser les échantillons en cours de fabrication (AFM, profilomètre, microscopie optique et électronique, caractérisation électrique)


5. Caractériser la réponse électro-optique des composants finaux (photoréponse, fréquence de coupure électrique)

Pour mener ces développements, il doit avoir des compétences en physique des semiconducteurs, et de composants optoélectroniques.


Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semiconducteur.


Une première expérience dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs (MEMS, diodes, photodétecteurs, transistors…) en salle blanche est primordiale.


Une expérience dans la caractérisation des dispositifs optoélectroniques ultra-rapides et l’automatisation de bancs expérimentaux (LabVIEW, Python) serait un plus.

L'activité s'exerce au sein du groupe Photonique THz de l'Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN, # situé à proximité immédiate du campus de l'université de Lille.


L'ingénieur travaillera en collaboration avec les personnels techniques de la salle blanche et de la plateforme de caractérisation sous la direction d'Emilien Peytavit.



Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Pas de risque particulier.